Jump to content

Флэш-карты на подвижных протонах


Recommended Posts

Увеличение плотности записи информации на флэш-картах сопровождается постоянной модификацией ячеек памяти. Для этой цели современной наукой уже предложено много новых материалов и физических принципов. В настоящее время выделяют три перспективных направления исследований: материалы на основе нитридов различных металлов (AlN, GaN); ферроэлектрическая поляризация диэлектриков (ferroelectric memory); движение протонов в изолированном слое (proton memory). Последний подход наиболее привлекателен для создания запоминающих устройств, так как требует минимального напряжения для записи информации. К сожалению, промышленное производство протонной памяти неизбежно столкнется с рядом трудностей. Использующие в настоящее время методы генерации протонов (высокотемпературная обработка и ионное легирование) не позволяют с достаточной точностью контролировать концентрацию протонов и, как следствие, функциональные характеристики запоминающих устройств.

В работе "Molecular Storage Elements for Proton Memory Devices", опубликованной в журнале "Advanced Materials", предлагается простое решение технологической проблемы. Использование в качестве базового материала протонсодержащих полимеров значительно понижает стоимость устройства. Синтез из растворов методом spin-coating прост в исполнении и позволяет в широких пределах варьировать толщину пленки, концентрацию протонов и протонную проводимость материала, что необходимо для контроля характеристик получаемых устройств.

В качестве донора протонов авторами использована 12-фосфорновольфрамовая кислота H3PW12O40 (HPW), стабилизированная полиметилметакрилатом (PMMA). Полученное устройство имеет слоистую структуру, в которой 270 нм слой HPW/PMMA расположен между двумя ионоблокирующими электродами (IBE). Под действием электрического поля кислота диссоциирует практически нацело с образованием трех H+ (рис. 1а-с). Протоны мигрируют в сторону от положительного электрода, создавая, таким образом, разность потенциалов, которая исчезает после снятия напряжения. Добавление дополнительного слоя, способного химически связывать протоны (в работе использовано сильное основание 2-аминоантрацен - AA), позволяет получать энергонезависимую память. В этом случае ассоциация кислоты после снятия напряжения не происходит, и заданный потенциал сохраняется (рис. 1e-d).

Таким образом, предлагаемая в работе методика подходит для синтеза как энергозависимой, так и энергонезависимой памяти.

nanometer.ru

Edited by Usta_Valod
Link to post
Share on other sites

1. Структура и принцип работы протонных элементов памяти.

СЂРёСЃ1.jpg

2. Полупроводниковые характеристики энергозависимой памяти с различной структурой.

СЂРёСЃ2.jpg

3. Изменение функциональных свойств образцов со временем.

СЂРёСЃ3.jpg

4. Полупроводниковые характеристики энергонезависимой памяти.

СЂРёСЃ4.jpg

Edited by Usta_Valod
Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

×
×
  • Create New...